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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：推出現(xiàn)貨四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻KDB-2B

  • 產(chǎn)品型號：KDB-2B
  • 產(chǎn)品廠商：同德
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡單介紹：
KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量**。 儀器特點如下： 1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更**。
詳情介紹：
KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量**。  
儀器特點如下：  
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更**。  
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV  靈敏度：1μV  輸入阻抗：1000ΜΩ  
 基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ；  
2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；  
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。 
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